申报条件：
（一） 项目申报单位（包括科研院所、高校、企业、其他事业单位和行业组织等）应注重产学研结合、整合省内外优势资源。省外单位牵头申报的，经竞争性评审，择优纳入科技计划项目库管理。入库项目在满足科研机构、科研活动、主要团队到广东落地，且项目知识产权在广东申报、项目成果在广东转化等条件后，给予立项支持。
（二） 坚持需求导向和应用导向。鼓励企业牵头申报，牵头企业原则上应为高新技术企业或龙头骨干企业，建有研发机构，在本领域拥有国家级、省部级重大创新平台，且以本领域领军人物作为项目负责人。鼓励加大配套资金投入，企业牵头申报的，项目总投入中自筹经费原则上不少于70%；非企业牵头申报的，项目总投入中自筹经费原则上不少于50%（自筹经费主要由参与申报的企业出资）。
（三） 省重点领域研发计划申报单位总体不受在研项目数的限项申报约束，项目应依托在该领域具有显著优势的单位，加强资源统筹和要素整合，集中力量开展技术攻关。不鼓励同一单位或同一研究团队分散力量、在同一专项中既牵头又参与多个项目申报，否则纳入科研诚信记录并进行相应处理。
（四） 项目负责人应起到统筹领导作用，能实质性参与项目的组织实施，防止出现拉本领域高端知名专家挂名现象。
（五） 项目内容须真实可信，不得夸大自身实力与技术、经济指标。各申报单位须对申报材料的真实性负责。
（六） 申报单位应认真做好经费预算，按实申报，且应符合申报指南有关要求。牵头承担单位原则上应承担项目的核心研究任务，分配最大份额的项目资金。项目研究成果须在广东转化和产业化。
（七） 有以下情形之一的项目负责人或申报单位不得进行申报或通过资格审查：
1.项目负责人有广东省级科技计划项目3项以上（含3项）未完成结题或有项目逾期一年未结题（平台类、普惠性政策类、后补助类项目除外）；
2.项目负责人有在研广东省重大科技专项项目、重点领域研发计划项目未完成验收结题（此类情形下该负责人还可作为项目组成员参与项目申报）；
3.在省级财政专项资金审计、检查过程中发现重大违规行为；
4.同一项目通过变换课题名称等方式进行多头或重复申报；
5.项目主要内容已由该单位单独或联合其他单位申报并已获得省科技计划立项；
6.省内单位项目未经科技主管部门组织推荐；
7.有尚在惩戒执行期内的科研严重失信行为记录和相关社会领域信用“黑名单”记录；
8.违背科研伦理道德。
（八） 申报项目还须符合申报指南各专题方向的具体申报条件。
专题1：第三代半导体材料生长技术和关键设备
项目1.1、高质量氮化镓单晶材料制备及关键技术研究：本项目为产业化项目，须企业牵头申报。
项目1.2、MPCVD 半导体金刚石单晶材料生长设备及关键工艺技术攻关
项目1.3、大尺寸氮化铝衬底材料装备开发及关键工艺研究：本项目有产业化目标，须不少于项目总投入50%的自筹经费。
专题2：第三代半导体功率器件、模块及其应用
项目2.1、新能源汽车碳化硅器件及模块的研发和产业化：本项目为产业化项目，须企业牵头申报。
项目2.2、第三代半导体大功率器件抗辐射加固技术
专题3：6-8 英寸硅衬底氮化镓基射频功率放大器件关键技术研究及应用：本项目有产业化目标，须不少于项目总投入50%的自筹经费。
专题4：深紫外固态光源关键技术研究：本项目有产业化目标，须不少于项目总投入50%的自筹经费。
专题5：第三代半导体功率芯片、器件、模块的可靠性分析评价技术研究及关键设备开发：本专题要求具有独立法人资格的第三方检测机构牵头，联合相关目标产品应用单位申报；
专题6：第三代半导体材料和器件制备研究及典型应用示范
项目收益：
专题1：第三代半导体材料生长技术和关键设备
项目1.1、高质量氮化镓单晶材料制备及关键技术研究：每项不超过2000 万元；
项目1.2、MPCVD 半导体金刚石单晶材料生长设备及关键工艺技术攻关：每项不超过2500 万元；
项目1.3、大尺寸氮化铝衬底材料装备开发及关键工艺研究：每项不超过2500 万元；
专题2：第三代半导体功率器件、模块及其应用
项目2.1、新能源汽车碳化硅器件及模块的研发和产业化：每项不超过2000 万元；
项目2.2、第三代半导体大功率器件抗辐射加固技术：每项不超过2000 万元；
专题3：6-8 英寸硅衬底氮化镓基射频功率放大器件关键技术研究及应用：每项不超过2500 万元；
专题4：深紫外固态光源关键技术研究:每项不超过2000 万元；
专题5：第三代半导体功率芯片、器件、模块的可靠性分析评价技术研究及关键设备开发：每项不超过1500 万元；
专题6：第三代半导体材料和器件制备研究及典型应用示范：设4 个课题，每个课题原则上支持1 项，每项不超过1000 万元。
申报时间：
2019年9月 19日～10月14 日18:00（网上申报）
